在電子電路設(shè)計(jì)中，晶振的時(shí)鐘信號(hào)穩(wěn)定性直接影響系統(tǒng)性能。分布電容（又稱雜散電容）作為電路板上導(dǎo)線、元件布局與絕緣介質(zhì)形成的非意圖寄生電容，是導(dǎo)致晶振頻率偏移和信號(hào)劣化的關(guān)鍵因素之一。

分布電容對(duì)晶振的影響機(jī)制

   分布電容本質(zhì)上由PCB導(dǎo)線間電場(chǎng)耦合形成，其容值通常在皮法（pF）量級(jí)，它對(duì)晶振的影響主要體現(xiàn)在三方面：

1. 頻率偏移

    晶振的實(shí)際振蕩頻率由負(fù)載電容CL決定，而CL包含外部匹配電容、芯片引腳電容及分布電容。分布電容會(huì)改變CL的有效值，導(dǎo)致輸出頻率偏離標(biāo)稱值。例如當(dāng)CL標(biāo)稱值為12pF時(shí)，僅2pF的分布電容即可造成百萬(wàn)分之百（100ppm）的頻率偏差。

2. 能量損耗增加 

    分布電容在交變電場(chǎng)中形成無(wú)功電流通路，消耗振蕩回路能量，降低晶振的品質(zhì)因數(shù)（Q值）。實(shí)驗(yàn)表明，Q值下降將直接導(dǎo)致相位噪聲增大，時(shí)鐘抖動(dòng)加劇。

3. 諧波干擾風(fēng)險(xiǎn) 

     高頻時(shí)鐘信號(hào)通過分布電容耦合至鄰近線路，可能激發(fā)寄生振蕩或引入諧波干擾，嚴(yán)重時(shí)造成數(shù)字邏輯誤觸發(fā)。

     分布電容雖無(wú)法徹底消除，但通過系統(tǒng)性優(yōu)化可將其影響抑制在容許范圍內(nèi)。高頻電路的成功往往在細(xì)節(jié)處顯現(xiàn)——對(duì)皮法級(jí)電容的精準(zhǔn)掌控，正是保障全球數(shù)十億電子設(shè)備時(shí)鐘心跳穩(wěn)健的關(guān)鍵所在。